安森美同英诺赛科达成 MOU，计划就 40~200V 氮化镓 GaN 器件制造展开合作

IT之家 12 月 3 日消息，安森美 onsemi 与国内氮化镓 (GaN) 技术企业英诺赛科 Innoscience 今日共同宣布双方已签署一份备忘录 (MOU)。 双方计划结合安森美在系统集成、驱动器、封装上的专业知识和英诺赛科的 GaN 晶圆制造领导力，以英诺赛科的 200mm（IT之家注：即八英寸）硅基 GaN 技术平台扩大安森美 40~200V 中低电压 GaN 功率器件的制造规模。 对于安森美的客户而言，此项合作关系将带来更快的上市时间、可扩展的生产制造能力、更低的系统成本。 原文链接：https://www.ithome.com/0/902/126.htm